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矩阵电离室 北京易达测量公司 矩阵电离室
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电离室修正方法

一通道设置偏压为 300。
第二通道设置偏压为 300。
测量三次读取平均值分别为 M 和Mref1。
之后一通道设置偏压为-300,矩阵电离室哪家好,第二通道偏压保持不变为 300。
测量三次读取平均值分别为M-和Mref2.之后以参考电离室六次读数的平均值Mref为基准将两个偏压测量结果进行修正。
使用平行板电离室测量低能电子束时,矩阵电离室,极化效应尤为明显。



电离室极化效应

电离室极化效应在电子束测量中的影响尤为显著。
其测量一般使用“正负偏压法”完成。
Kpol = (|M | |M-|)/2M,矩阵电离室价格,其中,M 和M-分别为电极正反接(正负偏压)时对应的剂量仪读数。
M是日常使用极性情况下的剂量仪读数。
每个读数都是多次(一般为3次)测量后的平均值。
为了消除加速分次间出束剂量波动对剂量仪读数的影响。



电离室离子复合

在脉冲式辐射场中,Ks的推导建议使用双电压法。
这里需要假定剂量仪读数(M)和所使用的偏压(V)之间存在线性关系。
M1和M2分别是偏压为V1和V2的剂量仪读数。
其中,矩阵电离室公司,V1是常用偏压,V2小于V1,一般V1/v2≥3。
此时,常压V1时的复合效应表达式为:

Ks=a0 a1(M1/M2) a2(M1/M2)2注意:因为Ks与剂量率相关,故测定时,应使用剂量率。



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